Zdravím co vy na A4989 (vím že se to tu řešilo někde a nedořešilo to je jedno....)
chtěl bych sestavit něco takového
A4989
-
- Příspěvky: 48
- Registrován: 20. 8. 2013, 7:05
- Přílohy
-
- A4989.zip
- (33.65 KiB) Staženo 580 x
-
- Příspěvky: 48
- Registrován: 20. 8. 2013, 7:05
a jak se to určuje v katalogu sou nějaké vzorce ale moc tomu nerozumím a ten kondenzátor je dobry tranzistory jeden z těch dvou http://www.tme.eu/cz/katalog/?idp=1&sea ... 3A26689%3B" onclick="window.open(this.href);return false; ?
Děkují
Děkují
IRF540 je poměrně starý tranzistor, dneska už existují lepší. Ale ten IRF540 má docela podstatnou výhodu v tom, že je levný a dobře dostupný. A protože v driveru je jich dost, tak cena je docela podstatný parametr. Takže to není špatná volba.
K těm odporům v gate: je to obecný princip buzení výkoných FETů. V principu platí, že čím je FET výkonnější, tím ma vyšší kapacitu hradla (gate), samozřejmě při srovnání tranzitorů podobné generace. No a protože při spínání velkých proudů je velmi podstatné dosáhnout co nejkratší doby sepnutí, tak se gate musí budit dost velkým poudem. Proto odpor v gate nemůže být příliš velký. Většinou se volí někde v rozpětí 10-27R.
Ta doba sepnutí musí být krátká, protože v době toho přechodového jevu, kdy se tranzistor postupně zapíná nebo vypíná, na něm vzniká velká výkonová a tedy tepelná ztráta.
K těm odporům v gate: je to obecný princip buzení výkoných FETů. V principu platí, že čím je FET výkonnější, tím ma vyšší kapacitu hradla (gate), samozřejmě při srovnání tranzitorů podobné generace. No a protože při spínání velkých proudů je velmi podstatné dosáhnout co nejkratší doby sepnutí, tak se gate musí budit dost velkým poudem. Proto odpor v gate nemůže být příliš velký. Většinou se volí někde v rozpětí 10-27R.
Ta doba sepnutí musí být krátká, protože v době toho přechodového jevu, kdy se tranzistor postupně zapíná nebo vypíná, na něm vzniká velká výkonová a tedy tepelná ztráta.